Preview

Вопросы радиоэлектроники

Расширенный поиск

Электрическая емкость резистивной пленки в плоскослоистой среде

https://doi.org/10.21778/2218-5453-2019-10-21-27

Полный текст:

Аннотация

Паразитные емкости пленочных резисторов могут существенно влиять на выходные электрические характеристики проектируемого изделия микроэлектроники. Методика расчета таких емкостей необходима для построения математических моделей, предназначенных для использования в САПР на стадии схемотехнического проектирования. Это обуславливает актуальность разработки методики расчета указанных емкостей. В статье получены аналитические выражения для токоведущего прямоугольного высокоомного пленочного проводника (резистора), учитывающие зависимость емкости от неравномерности распределения заряда. Найдены границы, в которых меняется емкость резистора при предельно возможном изменении распределения заряда вдоль вектора тока, которое обусловлено изменением модуля сопротивления нагрузки резистора от 0 до ¥, выявлен знак погрешности, обусловленной расчетом емкости резистора по формулам, предназначенным для вычисления емкости эквипотенциального проводника. Отмечена существенная нелинейность входного импеданса резистора. Нелинейность вызвана перераспределением заряда, которое имеет место, если сопротивление нагрузки пленочного резистора изменяется во время функционирования интегральной схемы.

Об авторе

И. А. Конников

Россия

Конников Игорь Аркадьевич, доктор технических наук

194354, Санкт-Петербург, пр. Художников, д. 4, корп. 1, кв. 13



Список литературы

1. Мишин Ю. С. Разработка и исследование алгоритмов машинного проектирования топологии высокочастотных микроузлов: автореферат дис. канд. техн. наук. М.: МАИ, 1982. 12 с.

2. Головченко В. Б. Проектирование резисторов высокочастотных пленочных микросхем // Радиотехника. 1968. № 3. С. 80–86.

3. Семенцов В. И., Прозоровский В. Е. Расчет паразитных параметров пленочных резисторов многослойных интегральных структур // Радиотехника. 1975. T. 30. № 8. С. 71–76.

4. Мишин Ю. С. Об алгоритме вычисления емкостей элементов топологической структуры пленочных микросхем // Известия вузов. Cep. Приборостроение. 1976. № 11. С. 90–92.

5. Brady L. J. The high-frequency performance of resistors // Proceedings of the Electronic Component Conference. Washington, 1966. P. 204–296.

6. Tatsuo H. Atsumaku-no zatsuon tokusei to koshuha tokusei // Denshi Tembo. 1969. № 3. P. 42–48.

7. Bemben K., Wysocki A. Parametry resztkowe warstwowych oraz ich wplyw na charackteristiki chestot liwosciowe // Zesz. nauk. WSI w Zieloney Gorze. 1974 (1975). № 19. S. 55–63.

8. Дьячков И. И., Кобцева Ю. Н., Коробейников П. В. Исследование параметров пленочных нихромовых резисторов на высоких частотах // Известия вузов. Cep. Радиоэлектроника. 1971. № 4. С. 110–114.

9. Цеханавичус Г.-В., Петраускас Г. В., Вейдайте А.-В. П. Частотные характеристики толстопленочных резисторов // Вопросы радиоэлектроники. 1972. Bып. 4. С. 110–114.

10. Колесов Л. Н. Введение в инженерную микроэлектронику. М.: Советское радио, 1974. 280 с.

11. Сочнев А. Я. Теоретическое определение емкости пленочных резисторов // Известия вузов. Cep. Приборостроение. 1970. № 10. С. 16–20.

12. Gray V. Film-resistor specs: all you wanted to know but were reluctant to ask // EDN EEE. 1972. № 23. P. 38–41.

13. Конников И. А. Формирование амплитудно-частотных характеристик транзисторных усилителей // Электросвязь. 1979. № 4. С. 56–59.

14. Зернов Н. В., Карпов В. Г. Теория pадиотехнических цепей. Л.: Энергия, 1972. 816 с.

15. Конников И. А. Метод вычисления функции Грина для уравнения Лапласа // Прикладная физика и математика. 2013. № 6. С. 75–83.

16. Конников И. А. Использование разностной математической модели для расчета поля в слоистых средах // Прикладная физика и математика. 2014. № 3. С. 39–50.

17. Говорков В. А. Электрические и магнитные поля. М., Л.: Госэнергоиздат, 1960. 463 с.

18. Конников И. А. Емкость тонкого проводника прямоугольного сечения // Авиакосмическое приборостроение. 2006. № 11. С. 19–25.

19. Пановский В. М., Филипс М. Классическая электродинамика. М.: Физматгиз, 1963. 432 с.


Для цитирования:


Конников И.А. Электрическая емкость резистивной пленки в плоскослоистой среде. Вопросы радиоэлектроники. 2019;(10):21-27. https://doi.org/10.21778/2218-5453-2019-10-21-27

For citation:


Konnikov I.A. Electrical capacitance of resistive film in plane-layered medium. Issues of radio electronics. 2019;(10):21-27. (In Russ.) https://doi.org/10.21778/2218-5453-2019-10-21-27

Просмотров: 55


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2218-5453 (Print)
ISSN 2686-7680 (Online)