Preview

Вопросы радиоэлектроники

Расширенный поиск

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТЕХПРОЦЕССА НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ С ПРИМЕНЕНИЕМ ПРИБОРНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ

https://doi.org/10.21778/2218-5453-2020-2-23-30

Полный текст:

Аннотация

В статье представлены результаты исследования физико-технологической модели типового полевого транзистора с барьером Шоттки (ПТШ). Проведено моделирование пробивных характеристик ПТШ при различных параметрах подзатворного углубления. Представлено сравнение диаграмм скорости генерации горячих носителей для плоской структуры ПТШ и структуры с подзатворным углублением. Получена зависимость напряжения пробоя стока от глубины подзатворного углубления. Также в работе предложен новый подход, позволяющий установить взаимосвязь между параметрами ионной имплантации контактных областей и канала ПТШ и внутренними емкостями малосигнальной эквивалентной схемы транзистора. Данный подход основан на перспективном направлении контроля, называемом виртуальной метрологией, где параметры технологического процесса используются 
для предсказывания критических параметров, характеризующих его результат. Для реализации данного подхода построены предиктивные модели на основе четырех популярных методов машинного обучения: линейной регрессии, машины опорных векторов, искусственной нейронной сети и композиции решающих деревьев.

Об авторах

А. А. Попов
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Россия

младший научный сотрудник

Российская Федерация, 634050, Томск, пр. Ленина, 40

тел.: 8 (913) 880‑78‑12



Д. В. Билевич
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Россия

младший научный сотрудник

Российская Федерация, 634050, Томск, пр. Ленина, 40

тел.: 8 (983) 053‑03‑63  



А. С. Сальников
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Россия

к.т.н., доцент

Российская Федерация, 634050, Томск, пр. Ленина, 40,

тел.: 8 (913) 866‑44‑65



А. А. Калентьев
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Россия

к.т.н., старший научный сотрудник

Российская Федерация, 634050, Томск, пр. Ленина, 40

тел.: 8 (923) 408‑04‑08



Список литературы

1. Drukier I., Wade P.C., Thompson J.W. A high power 15GHz GaAs FET. 9th European Microwave Conference, 1979. Brighton, UK. P. 282–286.

2. Ogawa M., et al. Submicron single‑gate and dual‑gate GaAs MESFET’s with improved low noise and high gain performance // IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 1976. Vol. 24. No. 6. P. 300–305.

3. Fukuta M., et al. Mesh source type microwave power FET. IEEE International Solid‑State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. Philadelphia, PA, USA, 1973. P. 84–85.

4. Fukuta M., et al. X‑band GaAs Schottky barrier power FET with a high drain source breakdown voltage. IEEE International Solid‑State Circuits Conference. Digest of technical papers. Philadelphia, PA, USA, 1976. P. 166–167.

5. Stoneham E., Tan T.S., Gladstone J. Fully ion implanted GaAs power FETs. International Electron Devices Meeting. Washington, DC, USA, 1977. P. 330–333.

6. Hasegawa F., et al. GaAs power MEWFETs with a simplified recess structure. IEEE International Solid‑State Circuits Conference. Digest of technical papers. San Francisco, CA, USA, 1978. P. 118–119.

7. Furutsuka T., et al. GaAs power m.e.s.f.e.t.s. with a graded recess structure // Electron. Lett. 1979. Vol. 15. No. 14. P. 417–418.

8. Kim S.J., et al. Thickness control of chemical vapor deposition‑grown graphene film by oxygen plasma etching with recycled use of Ni catalyst // J. Nanosci. Nanotechnol. 2017. Vol. 17. No. 7. P. 4907–4913.

9. Maas J., et al. YieldStar: a new metrology platform for advanced lithography control. Proc. SPIE7985, 27th European Mask and Lithography Conference, 2011. 79850H.

10. Jebri M. A., et al. The Impact of the virtual metrology on a run‑to‑run control for a chemical mechanical planarization process // IFAC‑PapersOnLine. 2017. Vol. 50. No. 1. P. 6154–6159.

11. Ho W.K., et al. Integrated metrology and processes for semiconductor manufacturing. 31st Annual Conference of IEEE Industrial Electronics Society, 2005 (IECON2005). 6 p.

12. Elliott R.C., et al. Critical dimension sample planning for sub‑0.25 micron processes. 10th Annual IEEE/SEMI. Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop, 1999. P. 139–142.

13. Pan J.C.‑H., Tai D.H. Implementing virtual metrology for in‑line quality control in semiconductor manufacturing // Int. J. Syst. Sci. 2009. Vol. 40. No. 5. P. 461–470.

14. Lin T.‑H., et al. A virtual metrology scheme for predicting CVD thickness in semiconductor manufacturing. Proceedings 2006 IEEE International Conference on Robotics and Automation, 2006 (ICRA 2006). P. 1054–1059.

15. Su Y.‑C., et al. Accuracy and real‑time considerations for implementing various virtual metrology algorithms // IEEE Trans. Semicond. Manuf. 2008. Vol. 21. No. 3. P. 426–434.

16. Besnard J., et al. Virtual metrology modeling for CVD film thickness // Int. J. Control Sci. Eng. 2012. Vol. 2. No. 3. P. 26–33.

17. Jebri M.A ., et al. Virtual metrology applied in run‑to‑run control for a chemical mechanical planarization process // J. Phys. Conf. Ser. 2017. Vol. 783. P. 012042.

18. Lynn S.A., MacGearailt N., Ringwood J.V. Real‑time virtual metrology and control for plasma etch // J. Process Control. 2012. Vol. 22. No. 4. P. 666–676.

19. Kang P., et al. Virtual metrology for run‑to‑run control in semiconductor manufacturing // Expert Syst. Appl. 2011. Vol. 38. No. 3. P. 2508–2522.

20. Rorsman N., et al. Accurate small‑signal modeling of HFET’s for millimeter‑wave applications // IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 1996. Vol. 44. No. 3. P. 432–437.


Для цитирования:


Попов А.А., Билевич Д.В., Сальников А.С., Калентьев А.А. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТЕХПРОЦЕССА НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ С ПРИМЕНЕНИЕМ ПРИБОРНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ. Вопросы радиоэлектроники. 2020;(2):23-30. https://doi.org/10.21778/2218-5453-2020-2-23-30

For citation:


Popov A.A., Bilevich D.V., Salnikov A.S., Kalentyev A.A. A STUDY OF TECHNOLOGY PARAMETERS INFLUENCE ON THE ELECTROPHYSICAL CHARACTERISTICS OF A MESFET USING TCAD SIMULATIONS. Issues of radio electronics. 2020;(2):23-30. (In Russ.) https://doi.org/10.21778/2218-5453-2020-2-23-30

Просмотров: 21


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2218-5453 (Print)