Preview

Вопросы радиоэлектроники

Расширенный поиск

ВЛИЯНИЯ ФОРМЫ МЕМБРАНЫ НА ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ РЕЗОНАНСНЫХ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ

Полный текст:

Аннотация

В статье приводятся результаты сравнительного анализа чувствительности микромеханических датчиков с ча-стотно-модулированным выходным сигналом, с чувствительными элементами, имеющими круглую и квадратную формы. Показано, что чувствительность датчика существенно зависит от выбора формы и топологии вторичного измерительного преобразователя. Предложены рекомендации по оптимальному размещению резонаторов на поверхности мембраны с учетом технологических ограничений.

Об авторах

А. Р. Бестугин
ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения» (ГУАП)
Россия

д. т. н., профессор

190000, Санкт-Петербург, ул. Большая Морская, д. 67, лит. А, тел.: 8 (812) 571-19-89

 



И. А. Киршина
ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения» (ГУАП)
Россия

к. э. н., доцент

190000, Санкт-Петербург, ул. Большая Морская, д. 67, лит. А, тел.: 8 (812) 571-19-89



П. А. Окин
ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения» (ГУАП)
Россия

аспирант

190000, Санкт-Петербург, ул. Большая Морская, д. 67, лит. А, тел.: 8 (812) 571-19-89



Н. А. Овчинникова
ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения» (ГУАП)
Россия

к. э. н., доцент

190000, Санкт-Петербург, ул. Большая Морская, д. 67, лит. А, тел.: 8 (812) 571-19-89



О. М. Филонов
ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения» (ГУАП)
Россия

к. э. н., доцент

190000, Санкт-Петербург, ул. Большая Морская, д. 67, лит. А, тел.: 8 (812) 571-19-89



Список литературы

1. Методические погрешности микроэлектромеханических датчиков давления при изотропном моделировании упругих свойств монокристаллического кремния / А. Р. Бестугин, И. А. Киршина, П. А. Окин, О. М. Филонов // Датчики и системы. 2015. № 2. С. 11–14.

2. Гридчин В. А., Драгунов В. П. Физика микросистем. Новосибирск: НГТУ, 2004. 416 с.

3. Ikeda K., Kuwayama H. at al. Silicon pressure sensor integrates resonant strain gauge on diaphragm. Sensor and Actuators. 1996, vol. 21, pp. 146–150.

4. Eswaran P., Malarvizhi S. Design analysis of MEMS Capacitive Differential Pressure Sensor for aircraft of applied. International Journal of applied Physics and Mathematics, 2012, vol. 2, no. 1, pp. 14–20.

5. Fragiacomo G. Micromachined capacitive pressure sensor with signal conditioning electronics. M.SC. THESIS, Technical University of Denmark, 2008, p. 129.


Для цитирования:


Бестугин А.Р., Киршина И.А., Окин П.А., Овчинникова Н.А., Филонов О.М. ВЛИЯНИЯ ФОРМЫ МЕМБРАНЫ НА ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ РЕЗОНАНСНЫХ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ. Вопросы радиоэлектроники. 2017;(10):11-14.

For citation:


Bestugin A.R., Kirshina I.A., Okin P.A., Ovchinnikova N.A., Filonov O.M. INFLUENCES OF THE FORM OF THE MEMBRANE ON SENSITIVITY OF RESONANT MICROELECTROMECHANICAL SENSORS OF PRESSURE. Issues of radio electronics. 2017;(10):11-14. (In Russ.)

Просмотров: 5


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2218-5453 (Print)