Preview

Вопросы радиоэлектроники

Расширенный поиск

РАЗРАБОТКА ТРАНСКОНДУКТИВНОГО МШУ ДИАПАЗОНА 3,7-4,3 ГГЦ НА ОСНОВЕ КМОП-ТЕХНОЛОГИИ C ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИ 90 НМ

Полный текст:

Аннотация

В статье представлены результаты разработки транскондуктивного малошумящего усилителя для применения в составе приемопередающего модуля активной фазированной антенной решетки. Усилитель выполнен на базе КМОП-технологии с проектными нормами 90 нм по схеме согнутого каскода с последовательной ООС по току. Предложен альтернативный вариант входной согласующей цепи и используется защитный экран по всему периметру топологии, что позволяет добиться значения коэффициента шума вплоть до 1,5 дБ.

Об авторах

Р. Ю. Мусенов
АО «Научно-производственный центр “ЭЛВИС”»
Россия

старший инженер

124498, Москва, Зеленоград, проезд № 4922, д. 4, стр. 2, тел.: 8 (968) 838-95-46.



Н. М. Горшкова
АО «Научно-производственный центр “ЭЛВИС”»
Россия

к. т. н., инженер

124498, Москва, Зеленоград, проезд № 4922, д. 4, стр. 2, тел.: 8 (499) 995-00-52.



Список литературы

1. Викулов И. Монолитные интегральные схемы СВЧ. Технологическая основа АФАР // Электроника: наука, технология, бизнес. 2012. № 7. С. 60–73.

2. Sun Y. Wireless Communication Circuits and Systems (Circuits, Devices and System). UK, London, The Institution of Engineering and Technology, 2008. 303 c.

3. Yue C. P., Wong S. S. On-chip spiral inductors with patterned ground shields for Si-based RF IC’s. IEEE J. Solid-State Circuits, 1998, vol. 33, pp. 734–752.

4. Belostotski L., Haslett J. W. Wide band room temperature 0,35-dB noise figure LNA in 90-nm bulk CMOS. IEEE Radio Wireless Symp., Long Beach, CA, Jan., 2007, pp. 221–224.

5. Cheung T. S. D., Long J. R. Shielded Passive Devices for Silicon-Based Monolithic Microwave and Millimeter-Wave Integrated Circuits, IEEE J. Solid-State Circuits, no. 5, vol. 41, 2006, pp. 1183–1200.

6. Blaakmeer S. C., Nauta B. Wideband balun-LNA with simultaneous output balancing, noise-canceling and distortioncanceling. IEEE J. Solid-State Circuits, no. 6, vol. 43, 2008, pp. 1341–1350.

7. Westerwick E. H. A 5 GHz band CMOS low noise amplifier with a 2,5 dB noise figure, Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2001, pp. 224–227.

8. Linten D. Low-power 5 GHz LNA and VCO in 90 nm RF CMOS, Proc. Int. Symp. VLSI Circuits Digest, 2004, pp. 372–375.

9. Chen F., Zhang W. A 3,8-mW 3,5–4-GHz Regenerative FM-UWB Receiver With Enhanced Linearity by Utilizing a Wideband LNA and Dual Bandpass Filters. IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, 2013, vol. 61, pp. 3350–3359.

10. Joo S., Choi T.-Y. A 3-to-5 GHz UWB LNA with a low-power balanced active balun, Proc. IEEE Radio Freq. Integr. Circuits (RFIC) Symp., Jun. 2009, pp. 303–306.


Для цитирования:


Мусенов Р.Ю., Горшкова Н.М. РАЗРАБОТКА ТРАНСКОНДУКТИВНОГО МШУ ДИАПАЗОНА 3,7-4,3 ГГЦ НА ОСНОВЕ КМОП-ТЕХНОЛОГИИ C ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИ 90 НМ. Вопросы радиоэлектроники. 2017;(8):34-38.

For citation:


Mussenov R.Yu., Gorshkova N.M. A DESIGN OF 3,7-4,3 GHZ TRANSCONDUCTANCE LNA IN 90-NM CMOS. Issues of radio electronics. 2017;(8):34-38. (In Russ.)

Просмотров: 29


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2218-5453 (Print)
ISSN 2686-7680 (Online)