МЕТОДИКА ПОВЫШЕНИЯ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ТЕНЗОЭЛЕМЕНТОВ И ТЕНЗОМОДУЛЕЙ
Аннотация
Благодаря успехам микропроцессорной техники за последние несколько лет произошел значительный скачок в области разработки и применения автоматизированных систем управления. В таких системах для формирования управляющего воздействия используется информация, получаемая от совокупности датчиков, установленных на объекте управления и дающих полную информацию о нем. Актуальной задачей является повышение точности измерения характеристик таких датчиков. В настоящей работе на примере датчиков давления исследованы процессы деградации микроэлектромеханических структур интегральных измерительных тензо-преобразователей (тензоэлементов), выражающиеся в уходе выходной характеристики датчика за пределы норм, предусмотренных техническими условиями. Разработана методика измерения параметров выходного сигнала тензоэлемента с помощью специальной установки. По результатам экспериментов определено, что при использовании материала с маленьким модулем упругости можно использовать для посадки тензоэлемента любой материал подложки тензомодуля. Разработанная методика может применяться в производстве и конструировании тензомодуля и датчика в целом.
Ключевые слова
Об авторах
С. А. Адарчин
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Калужский филиал
Россия
Россия
к. т. н., доцент
248000, Калуга, ул. Баженова, д. 2, тел.: 8 (903) 816‑37‑62
А. В. Мазин
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Калужский филиал
Россия
Россия
д. т. н., зав. кафедрой ИУ6‑КФ «Защита информации», профессор
248000, Калуга, ул. Баженова, д. 2, тел.: 8 (910) 915‑58‑25
Список литературы
1. Смирнов Ю. А., Муханов А. В. Электронные и микропроцессорные системы управления автомобилей. М.: Лань, 2012. 624 c.
2. Набоких В. А. Датчики автомобильных электронных систем управления и диагностического оборудования. М.: ИНФРА-М, 2018. 239 с.
3. Binder J., Becker K., Ehrler G. Silicon pressure sensors for the range 2 kPa to 40 MPa // Siemens Components. 1985. № 2 (20). P. 64–67.
4. Matsuda K., Kanda Y., Suzuki K. Second-order piezoresistance coefficients of n-type silicon // Jap. Journal Appl. Phys. 1989. V. 28. № 10. P. L1676–L1677.
Для цитирования:
Адарчин С.А., Мазин А.В. МЕТОДИКА ПОВЫШЕНИЯ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ТЕНЗОЭЛЕМЕНТОВ И ТЕНЗОМОДУЛЕЙ. Вопросы радиоэлектроники. 2018;(11):10-19. https://doi.org/10.21778/2218-5453-2018-11-10-19
For citation:
Adarchin S.A., Mazin A.V. METHODS OF IMPROVING ACCURACY OF MEASURING OUTPUT CHARACTERISTICS OF TENSOMETRIC ELEMENTS AND TESTMODULES. Issues of radio electronics. 2018;(11):10-19. (In Russ.) https://doi.org/10.21778/2218-5453-2018-11-10-19
Просмотров: 77
Послать статью по эл. почте 
